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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
47
Rund um -52% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
9.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.5
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.3
11.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
6.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1413
1860
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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