Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB

Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    31 left arrow 47
    Wokół strony -52% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    11.8 left arrow 9.3
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    6.5 left arrow 5.9
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    17000 left arrow 10600
    Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    47 left arrow 31
  • Prędkość odczytu, GB/s
    9.3 left arrow 11.8
  • Prędkość zapisu, GB/s
    5.9 left arrow 6.5
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Opis
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • Taktowanie / szybkość zegara
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    1413 left arrow 1860
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania