RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
22.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
16.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
49
Wokół strony -69% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
22.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
16.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
3792
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link