RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
47
Rund um -68% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.7
9.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.8
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.3
17.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
15.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1413
3772
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link