RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
21
47
Rund um -124% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
9.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.6
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
21
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.3
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
7.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1413
2337
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD R334G1339U2S 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link