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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
47
Rund um -52% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.7
9.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.5
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.3
19.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
17.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1413
3935
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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