RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Comparar
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
47
Por volta de -52% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.7
9.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.5
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
31
Velocidade de leitura, GB/s
9.3
19.7
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
17.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1413
3935
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link