RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
10.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
77
Por volta de -175% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
28
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
12.8
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
10.2
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
2545
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link