RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
41
Rund um -105% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.7
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
20
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
19.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
13.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2016
3120
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology C 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP351U7AFR8C
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E2 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Corsair CMP4GX3M2C1600C7 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link