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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP351U7AFR8C-S6 4GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP351U7AFR8C-S6 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP351U7AFR8C-S6 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,378.6
2,312.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP351U7AFR8C-S6 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
57
62
Rund um -9% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
4
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP351U7AFR8C-S6 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR2
Latenzzeit in PassMark, ns
62
57
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,670.6
4,671.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,378.6
2,312.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
6400
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
861
879
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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