Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP351U7AFR8C-S6 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP351U7AFR8C-S6 4GB

Pontuação geral
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Pontuação geral
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP351U7AFR8C-S6 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP351U7AFR8C-S6 4GB

Diferenças

  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    2,378.6 left arrow 2,312.6
    Valor médio nos testes
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    57 left arrow 62
    Por volta de -9% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    4 left arrow 4
    Valor médio nos testes

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP351U7AFR8C-S6 4GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latência em PassMark, ns
    62 left arrow 57
  • Velocidade de leitura, GB/s
    4,670.6 left arrow 4,671.5
  • Velocidade de escrita, GB/s
    2,378.6 left arrow 2,312.6
  • Largura de banda de memória, mbps
    6400 left arrow 6400
Other
  • Descrição
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Tempos / Velocidade do relógio
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    861 left arrow 879
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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RAM 2

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