Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP351U7AFR8C-S6 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP351U7AFR8C-S6 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP351U7AFR8C-S6 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP351U7AFR8C-S6 4GB

Различия

  • Выше скорость записи
    2,378.6 left arrow 2,312.6
    Среднее значение в тестах
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    57 left arrow 62
    Около -9% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    4 left arrow 4
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP351U7AFR8C-S6 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR2
  • Задержка в PassMark, нс
    62 left arrow 57
  • Скорость чтения, Гб/сек
    4,670.6 left arrow 4,671.5
  • Скорость записи, Гб/сек
    2,378.6 left arrow 2,312.6
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    6400 left arrow 6400
Other
  • Описание
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    861 left arrow 879
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения