Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP351U7AFR8C-S6 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP351U7AFR8C-S6 4GB

Punteggio complessivo
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Punteggio complessivo
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP351U7AFR8C-S6 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP351U7AFR8C-S6 4GB

Differenze

  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    2,378.6 left arrow 2,312.6
    Valore medio nei test
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    57 left arrow 62
    Intorno -9% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    4 left arrow 4
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP351U7AFR8C-S6 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latenza in PassMark, ns
    62 left arrow 57
  • Velocità di lettura, GB/s
    4,670.6 left arrow 4,671.5
  • Velocità di scrittura, GB/s
    2,378.6 left arrow 2,312.6
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    6400 left arrow 6400
Other
  • Descrizione
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    861 left arrow 879
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