RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP351U7AFR8C-S6 4GB
Confronto
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP351U7AFR8C-S6 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP351U7AFR8C-S6 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,378.6
2,312.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP351U7AFR8C-S6 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
57
62
Intorno -9% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
4
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP351U7AFR8C-S6 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR2
Latenza in PassMark, ns
62
57
Velocità di lettura, GB/s
4,670.6
4,671.5
Velocità di scrittura, GB/s
2,378.6
2,312.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
6400
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
861
879
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB Confronto tra le RAM
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP351U7AFR8C-S6 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link