Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP351U7AFR8C-S6 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP351U7AFR8C-S6 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP351U7AFR8C-S6 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP351U7AFR8C-S6 4GB

Różnice

  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    2,378.6 left arrow 2,312.6
    Średnia wartość w badaniach
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    57 left arrow 62
    Wokół strony -9% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    4 left arrow 4
    Średnia wartość w badaniach

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP351U7AFR8C-S6 4GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR2 left arrow DDR2
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    62 left arrow 57
  • Prędkość odczytu, GB/s
    4,670.6 left arrow 4,671.5
  • Prędkość zapisu, GB/s
    2,378.6 left arrow 2,312.6
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    6400 left arrow 6400
Other
  • Opis
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Taktowanie / szybkość zegara
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    861 left arrow 879
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania