Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP351U7AFR8C-S6 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP351U7AFR8C-S6 4GB

Puntuación global
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Puntuación global
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP351U7AFR8C-S6 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP351U7AFR8C-S6 4GB

Diferencias

  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    2,378.6 left arrow 2,312.6
    Valor medio en las pruebas
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    57 left arrow 62
    En -9% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    4 left arrow 4
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP351U7AFR8C-S6 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latencia en PassMark, ns
    62 left arrow 57
  • Velocidad de lectura, GB/s
    4,670.6 left arrow 4,671.5
  • Velocidad de escritura, GB/s
    2,378.6 left arrow 2,312.6
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    6400 left arrow 6400
Other
  • Descripción
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    861 left arrow 879
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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