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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP351U7AFR8C-S6 4GB
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP351U7AFR8C-S6 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP351U7AFR8C-S6 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,378.6
2,312.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP351U7AFR8C-S6 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
57
62
En -9% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
4
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP351U7AFR8C-S6 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR2
Latencia en PassMark, ns
62
57
Velocidad de lectura, GB/s
4,670.6
4,671.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,378.6
2,312.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
6400
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
861
879
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP351U7AFR8C-S6 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
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