Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP351U7AFR8C-S6 4GB
Выберите RAM 2
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP351U7AFR8C-S6 4GB

Обзор RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP351U7AFR8C-S6 4GB, характеристики, бенчмарки

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP351U7AFR8C-S6 4GB обзор модуля памяти (RAM). Основные технические характеристики ОЗУ и бенчмарки производительности, предоставленные PassMark. Изучите данные модуля и сравните его с другими моделями RAM

Спецификации

Полный список технических характеристик
Характеристики
  • Type
    DDR2
  • Имя
    Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP351U7AFR8C-S6
  • Характеристики
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Пропускная способность памяти
    6400 mbps
  • Тайминги / частота

    * проверяйтие на сайте производителя

    5-5-5-15 / 800 MHz
Производительность от PassMark
  • Задержка
    57 ns
  • Скорость чтения
    4,671.5 GB/s
  • Скорость записи
    2,312.6 GB/s
# 333 400 533 667 800 933 1067 MT/s
4 12.00 10.00 7.50 6.00 5.00 4.29 3.75
5 15.00 12.50 9.38 7.50 6.25 5.36 4.69
6 18.00 15.00 11.25 9.00 7.50 6.43 5.62
7 21.00 17.50 13.13 10.50 8.75 7.50 6.56
8 24.00 20.00 15.00 12.00 10.00 8.57 7.50
9 27.00 22.50 16.88 13.50 11.25 9.64 8.44
10 30.00 25.00 18.75 15.00 12.50 10.71 9.37
11 33.00 27.50 20.63 16.50 13.75 11.79 10.31
12 36.00 30.00 22.50 18.00 15.00 12.86 11.25
CL

Задержка CAS измеряет количество тактовых циклов, которые проходят с момента запроса на чтение данных до момента, когда такая информация становится доступной.

Тесты производительности

Реальные тесты Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP351U7AFR8C-S6 4GB
Задержка
Среднее время задержки, тест Passmark
Скорость чтения без кеширования
Среднее время чтения памяти без кеширования
Cкорость записи
Cредняя скорость записи, Passmark
Оцените RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP351U7AFR8C-S6 4GB