Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP351U7AFR8C-S6 4GB
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Pontuação geral
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP351U7AFR8C-S6 4GB

RAM de revisão Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP351U7AFR8C-S6 4GB, especificações, referências

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP351U7AFR8C-S6 4GB revisão do módulo de memória. Principais características técnicas e avaliação de desempenho de referência do PassMark. Sugerimos o estudo de todos os dados e a sua comparação com o modelo competitivo.

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Características
  • Type
    DDR2
  • Nome
    Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP351U7AFR8C-S6
  • Características
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Largura de banda de memória
    6400 mbps
  • Tempos / Velocidade do relógio

    * verificar o website do fabricante

    5-5-5-15 / 800 MHz
Desempenho por PassMark
  • Latência
    57 ns
  • Velocidade de leitura
    4,671.5 GB/s
  • Velocidade de escrita
    2,312.6 GB/s
# 333 400 533 667 800 933 1067 MT/s
4 12.00 10.00 7.50 6.00 5.00 4.29 3.75
5 15.00 12.50 9.38 7.50 6.25 5.36 4.69
6 18.00 15.00 11.25 9.00 7.50 6.43 5.62
7 21.00 17.50 13.13 10.50 8.75 7.50 6.56
8 24.00 20.00 15.00 12.00 10.00 8.57 7.50
9 27.00 22.50 16.88 13.50 11.25 9.64 8.44
10 30.00 25.00 18.75 15.00 12.50 10.71 9.37
11 33.00 27.50 20.63 16.50 13.75 11.79 10.31
12 36.00 30.00 22.50 18.00 15.00 12.86 11.25
CL

A latência CAS mede o número de ciclos de relógio que passam de quando um pedido de leitura de dados é feito até quando tal informação está disponível

Testes de desempenho

Testes reais Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP351U7AFR8C-S6 4GB
Ler Velocidade de Transferência Não Atingida
Tempo médio de leitura da memória sem caching
Velocidade de transferência de escrita
Velocidade média de escrita
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