Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S
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Pontuação geral
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S

RAM de revisão Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S, especificações, referências

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S revisão do módulo de memória. Principais características técnicas e avaliação de desempenho de referência do PassMark. Sugerimos o estudo de todos os dados e a sua comparação com o modelo competitivo.

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Características
  • Type
    DDR2
  • Nome
    Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-S6
  • Características
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Largura de banda de memória
    6400 mbps
  • Tempos / Velocidade do relógio

    * verificar o website do fabricante

    5-5-5-15 / 800 MHz
Desempenho por PassMark
  • Latência
    65 ns
  • Velocidade de leitura
    3,999.4 GB/s
  • Velocidade de escrita
    1,827.3 GB/s
# 333 400 533 667 800 933 1067 MT/s
4 12.00 10.00 7.50 6.00 5.00 4.29 3.75
5 15.00 12.50 9.38 7.50 6.25 5.36 4.69
6 18.00 15.00 11.25 9.00 7.50 6.43 5.62
7 21.00 17.50 13.13 10.50 8.75 7.50 6.56
8 24.00 20.00 15.00 12.00 10.00 8.57 7.50
9 27.00 22.50 16.88 13.50 11.25 9.64 8.44
10 30.00 25.00 18.75 15.00 12.50 10.71 9.37
11 33.00 27.50 20.63 16.50 13.75 11.79 10.31
12 36.00 30.00 22.50 18.00 15.00 12.86 11.25
CL

A latência CAS mede o número de ciclos de relógio que passam de quando um pedido de leitura de dados é feito até quando tal informação está disponível

Testes de desempenho

Testes reais Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S
Latência
Tempo médio de atraso PassMark
Ler Velocidade de Transferência Não Atingida
Tempo médio de leitura da memória sem caching
Velocidade de transferência de escrita
Velocidade média de escrita
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