Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S

Recensione RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S, specifiche, parametri di riferimento

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S recensione del modulo di memoria. Principali caratteristiche tecniche e valutazione delle prestazioni del benchmark di PassMark. Suggeriamo di studiare tutti i dati e di confrontarli con il modello della concorrenza.

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Caratteristiche
  • Type
    DDR2
  • Nome
    Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-S6
  • Caratteristiche
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Larghezza di banda della memoria
    6400 mbps
  • Temporizzazioni / Velocità di clock

    * Controllare il sito web del produttore

    5-5-5-15 / 800 MHz
Prestazioni di PassMark
  • Latenza
    65 ns
  • Velocità di lettura
    3,999.4 GB/s
  • Velocità di scrittura
    1,827.3 GB/s
# 333 400 533 667 800 933 1067 MT/s
4 12.00 10.00 7.50 6.00 5.00 4.29 3.75
5 15.00 12.50 9.38 7.50 6.25 5.36 4.69
6 18.00 15.00 11.25 9.00 7.50 6.43 5.62
7 21.00 17.50 13.13 10.50 8.75 7.50 6.56
8 24.00 20.00 15.00 12.00 10.00 8.57 7.50
9 27.00 22.50 16.88 13.50 11.25 9.64 8.44
10 30.00 25.00 18.75 15.00 12.50 10.71 9.37
11 33.00 27.50 20.63 16.50 13.75 11.79 10.31
12 36.00 30.00 22.50 18.00 15.00 12.86 11.25
CL

La latenza CAS misura il numero di cicli di clock che intercorrono tra la richiesta di lettura dei dati e la disponibilità di tali informazioni.

Test di prestazione

Test reali Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S
Latenza
Tempo di ritardo medio PassMark
Velocità di trasferimento in lettura senza cache
Tempo medio di lettura della memoria senza cache
Velocità di trasferimento in scrittura
Velocità media di scrittura
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