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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
INTENSO 5641162 8GB
Comparar
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs INTENSO 5641162 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Pontuação geral
INTENSO 5641162 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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Razões a considerar
INTENSO 5641162 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
26
Por volta de -13% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.2
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.7
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
INTENSO 5641162 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
23
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
16.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
11.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2070
2799
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
INTENSO 5641162 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
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