RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
41
Rund um -71% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.5
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
18.2
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
19.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
18.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2016
3990
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link