RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
41
Wokół strony -71% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.5
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.2
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
24
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
18.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2016
3990
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link