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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Inmos + 256MB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Inmos + 256MB
Gesamtnote
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Gesamtnote
Inmos + 256MB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Inmos + 256MB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
41
Rund um -37% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.1
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
16800
12800
Rund um 1.31 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Inmos + 256MB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
11.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
9.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
16800
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
no data
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2016
2318
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
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Inmos + 256MB RAM-Vergleiche
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
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Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
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