RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Inmos + 256MB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB против Inmos + 256MB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Inmos + 256MB

Inmos + 256MB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Причины выбрать
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    13.3 left arrow 11.5
    Среднее значение в тестах
Inmos + 256MB Причины выбрать
Inmos + 256MB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    30 left arrow 41
    Около -37% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    9.1 left arrow 9.0
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    16800 left arrow 12800
    Около 1.31 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Inmos + 256MB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    41 left arrow 30
  • Скорость чтения, Гб/сек
    13.3 left arrow 11.5
  • Скорость записи, Гб/сек
    9.0 left arrow 9.1
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 16800
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow no data
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2016 left arrow 2318

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Сравнения RAM

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB

Inmos + 256MB Сравнения RAM

Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
модули RAM
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Inmos + 256MB
Inmos + 256MB
модули RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
INTENSO 4GB
INTENSO 4GB
модули RAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
модули RAM
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
модули RAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
модули RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
модули RAM
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
модули RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
модули RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
модули RAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
модули RAM
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
модули RAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Inmos + 256MB
Inmos + 256MB
модули RAM
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kllisre 0000 8GB
Kllisre 0000 8GB
модули RAM