RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Inmos + 256MB
Сравнить
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB против Inmos + 256MB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Средняя оценка
Inmos + 256MB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.3
11.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Inmos + 256MB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
41
Около -37% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.1
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
16800
12800
Около 1.31 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Inmos + 256MB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
30
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
11.5
Скорость записи, Гб/сек
9.0
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
16800
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
no data
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2016
2318
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Сравнения RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Inmos + 256MB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link