RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Gesamtnote
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
41
Rund um -78% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.6
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.0
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
13.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2016
2548
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link