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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Gesamtnote
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
38
Rund um -12% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.6
3.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.2
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
3.0
11.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
915
2917
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
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