RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
40
Rund um -18% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.5
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.1
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
14.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
12.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1789
2756
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332S 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link