RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
40
Rund um -100% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.9
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.6
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
20
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
18.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
12.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1789
3244
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link