RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
39
40
Rund um -3% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.1
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
14.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
9.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1789
2221
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
AMD R538G1601U2S 8GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link