RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
40
43
Rund um 7% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.5
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.3
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
43
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
12.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1789
2885
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link