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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Compara
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
43
En 7% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
43
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.9
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1789
2885
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
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Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
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