RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
40
Rund um -67% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.4
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
9.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1789
2479
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link