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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
40
左右 -67% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.4
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
24
读取速度,GB/s
12.3
15.5
写入速度,GB/s
8.9
9.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
2479
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
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