RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
40
Rund um -33% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.5
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.9
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
12.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1789
3283
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link