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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Compara
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
40
En -33% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.9
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
30
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.9
12.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1789
3283
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
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