RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
40
Rund um -67% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.5
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.0
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
20.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
17.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1789
4064
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Kingston ACR256X64D3U1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link