RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Confronto
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
40
Intorno -67% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.5
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.0
8.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
24
Velocità di lettura, GB/s
12.3
20.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.9
17.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1789
4064
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link