Confronto tra le RAM PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

Punteggio complessivo

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

38 62

Intorno 39% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

10.0 7.0

Valore medio nei test

Motivi da considerare
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

19200 12800

Intorno 1.5 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2753 1808

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns