Comparaison de la RAM PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

Note globale

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

38 62

Autour de 39% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

10.0 7.0

Valeur moyenne dans les tests

Raisons de considérer
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

Bande passante mémoire plus élevée, mbps

19200 12800

Autour de 1.5 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2753 1808

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns