RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
40
Rund um -82% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.9
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.4
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
16.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
14.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1789
3166
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link