RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gesamtnote
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
40
66
Rund um 39% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
7.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.9
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
66
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
7.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1789
1877
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD R334G1339U2S 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link