RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB против Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
66
Около 39% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.9
7.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.9
12.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
66
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
15.9
Скорость записи, Гб/сек
8.9
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1789
1877
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link