RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
40
96
Rund um 58% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
4.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
96
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
6.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
4.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1789
992
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link