RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Confronto
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
40
96
Intorno 58% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.3
6.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.9
4.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
96
Velocità di lettura, GB/s
12.3
6.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.9
4.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1789
992
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link