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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
40
42
Rund um 5% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
12
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
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Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
40
42
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
12.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
7.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
12800
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1789
1933
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
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