RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5273EB0-YK0 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Samsung M471B5273EB0-YK0 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273EB0-YK0 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273EB0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
40
Rund um -33% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.5
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5273EB0-YK0 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
40
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
12.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
8.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
12800
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1789
2123
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Samsung M471B5273EB0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5273EB0-YK0 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link