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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5273EB0-YK0 4GB
Confronto
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Samsung M471B5273EB0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273EB0-YK0 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.9
8.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471B5273EB0-YK0 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
40
Intorno -33% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.5
12.3
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5273EB0-YK0 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
40
30
Velocità di lettura, GB/s
12.3
12.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.9
8.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
12800
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1789
2123
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Samsung M471B5273EB0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5273EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
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