RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
40
Rund um -29% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.2
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.6
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
12.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1789
3256
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB RAM-Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link