Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB

Gesamtnote
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Gesamtnote
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Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB

Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB

Unterschiede

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    20 left arrow 30
    Rund um -50% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    19.2 left arrow 10.6
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    14.8 left arrow 6.8
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 8500
    Rund um 2 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    30 left arrow 20
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    10.6 left arrow 19.2
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    6.8 left arrow 14.8
  • Speicherbandbreite, mbps
    8500 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1479 left arrow 3326
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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