RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Gesamtnote
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gesamtnote
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
37
Rund um 19% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.2
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.4
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
8500
Rund um 2.51 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
30
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
15.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
13.4
Speicherbandbreite, mbps
8500
21300
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1479
3147
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link